简要说明：我公司氧化电源针对氧化特点设计。由于其输出波形为方波，对于封孔质量比较有利，降低由于温度升高造成的膜的溶解作用，防止氧化膜孔口的扩大，有利于氧化层硬度和致密度的提高，有利于提高产品质量，提高成品率。 

　　概述:
 本产品以优质进口IGBT作为主功率器件件,并以公司核心技术进行控制(已获多项国家专利),以超微晶(又称纳米晶)软磁合金材料为主变压器铁芯,主控制系统采用了多环控制技术,结构上采取了防盐雾酸化措施。研制成新一代低压大电流高频开关电源(整流器)。以体积小、重量轻、高效率、高可靠的优越性能成为可控硅电源的更新换代产品。  
特点:
●可靠性强,保证设备安全运行,减少故障发生,保护齐全,隔离及防腐措施合理
●高稳定性:系统反应速度快,对于网电及负载变化具有极强的适应性,输出精度可达1%。 
●节电效果好:较可控硅整流器可节电15%-30%,对企业降低成本定会发挥重要作用。 
●体积小、重量轻:体积与重量为可控硅整流器1/5-1/10,便于规划、扩建、移动和安装。
●技术含量高,核心部件采用国际专利技术产品,控制电路采用专有技术,稳压性能强,提高了工作效率。
技术指标:
输入电压:三相380V±15%  ( 小功率规格的产品可据客户要求改为220V市电输入 )
输出特性:恒流/恒压可转换  ( 0~额定值 )    输出波形:高频方波
调节精度:≤1%                           效　　率:≥89% 
功率因数:≥90%                          保护方式:过压、欠压、过热、过流 
冷却方式:风冷或水冷                      可选配置:PLC接口 
环境温度:-20℃-45℃                       环境湿度:≤80% 

应用特点:
1、 降低孔隙率,晶核的形成速度大于成长速度,促使晶核细化。
2、 改善结合力,使钝化膜击穿,有利于基体与镀层之间牢固的结合。
3、 改善覆盖能力和分散能力,高的阴极负电位使普通电镀中钝化的部位也能沉积,减缓形态复杂零件的突出部位由于沉积离子过度消耗而带来的“烧焦”“树枝状”沉积的缺陷,对于获得一个给定特性镀层(如颜色、无孔隙等)的厚度可减少到原来1/3~1/2,节省原材料。
4、 降低镀层的内应力,改善晶格缺陷、杂质、空洞、瘤子等,容易得到无裂纹的镀层,减少添加剂。
5、 有利于获得成份稳定的合金镀层。
6、 改善阳极的溶解,不需阳极活化剂。