简要说明：本系统可以完成高、中、低阻样品的霍尔效应，磁阻效应，I-V和V-I特性测试；也可增选变温选件，满足客户的特殊测试环境的需求。用户可以研究样品的载流子类型，导电机构，散射机构，巨磁阻等现象，确定禁带宽度，净杂质浓度，载流子浓度及迁移率等。

　　霍尔效应测试系统简介
   材料的导电行为是凝聚态物理学，材料科学和器件工艺学的基础研究对象。我们选用目前世界上性价比非常高的Keithley仪表等组成了一套高性能的霍尔效应自动测试系统。该系统可以完成中低阻样品的霍尔效应，磁阻效应，I-V和V-I特性测试；也可增选变温选件，满足客户的特殊测试环境的需求。用户可以研究样品的载流子类型，导电机构，散射机构，巨磁阻等现象，确定禁带宽度，净杂质浓度，载流子浓度及迁移率等。
1.基本功能
  可以进行霍尔效应、磁阻效应，I-V和V-I特性的测量；
  可得出参数：
    霍尔效应——方块电阻、电阻率、霍尔系数、导电类型、霍尔迁移率、载流子浓度；
    磁阻效应――R，△R，(△R/R）%，(△R/R0）%；
    I-V和V-I特性 ——不同温度和不同磁场下的I-V和V-I特性曲线。
2. 可测试材料
   半导体材料：Si ，Ge ， AlGaAs ，GaAs ，GaN ，HgCdTe ，CdTe等；
   低阻抗材料：金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等。
   铁氧体材料
3. 主要特点
 标准系统使用插入式样品夹具，样品安装方便；
 基本配置一次最多可以同时进行两个样品的测试；
 标准系统随机配送一个探针样品卡；
 标准系统可以进行不同磁场下的霍尔效应、磁阻效应，I-V和V-I特性的测量；
 电阻测量范围：1mΩ—10MΩ，测量的不确定度为2%；
 测试过程和计算过程由软件自动执行，节省了大量的时间；
 软件可以显示测量结果和测量曲线；
 系统磁场采用闭环控制，可以提供高稳定性的磁场，同时解决了磁铁剩磁问题，实现真正的零磁场；
 选择变温选件，可以进行不同温度下的霍尔效应测量，磁阻效应，I-V和V-I特性测量。
4. 电极接触点：4或6
5. 温度环境：标准系统不带变温选件，只能进行室温下的测量。
             可提供液氮杜瓦或者制冷机选件，经行低温下测试。
6. 磁场环境：
   利用电磁铁可产生0~2T可变磁场。
7. 样品最大电压：200V；
8. 样品电流范围：±10nA到±1A；
9. 阻值范围： 1mΩ到10MΩ；